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AI 메모리 시장 주도권 잡은 SK하이닉스, 역대 최대 R&D투자 단행...올해도 AI 기술 개발에 집중
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AI 메모리 시장 주도권 잡은 SK하이닉스, 역대 최대 R&D투자 단행...올해도 AI 기술 개발에 집중
  • 정은영 기자 jey@csnews.co.kr
  • 승인 2025.04.03 06:11
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SK하이닉스가 지난해 연구개발(R&D) 투자를 역대 최대 규모로 집행한 것으로 나타났다.

SK하이닉스의 연구개발비는 2010년부터 지난해까지 해마다 역대 최대 기록을 경신하고 있다.

SK하이닉스는 AI(인공지능) 메모리 기술 개발에 투자를 집중한 결과, HBM3E 양산 등 눈에 띄는 연구개발 성과로 AI 메모리 시장을 선도하고 있다.

올해도 연구개발 역량을 AI 메모리에 집중할 계획이다.

3일 전자공시시스템에 따르면 SK하이닉스의 지난해 연구개발비는 4조9544억 원으로 18.2% 증가했다.
 


SK하이닉스는 지난 2019년부터 매출의 10% 이상을 연구개발에 투자해왔다. 2022년부터 지난해까지 투자액은 3년 연속 4조 원대를 기록하며 5조 원 돌파를 눈앞에 두고 있다. 

다만 지난해 매출 대비 연구개발비 비중은 매출이 두 배 이상 늘어난 영향으로 12.8%에서 7.5%로 낮아졌다.

매년 최대 규모의 연구개발 투자를 실시한 SK하이닉스는 AI 메모리 분야에서 성과를 내고 있다.

지난해 대표적인 연구개발 성과는 '고대역폭메모리(HBM3)'의 확장버전인 초고성능 AI 메모리 'HBM3E'의 양산이다. 세계 최초로 양산 제품을 고객사에 납품했다.

HBM3E는 초당 최대 1.18TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리한다. FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초만에 처리하는 수준이다.

세계 최초로 '10나노급 6세대 DRAM (1cnm) 16Gb DDR5' 개발을 완료했다. 연구개발을 통해 EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정을 최적화해 원가 경쟁력도 확보했다. 설계 기술 혁신으로 이전 세대 1b 대비 생산성이 30% 이상 향상됐다. 이 역시 AI 서버 확장 대응을 위한 제품이다.

현존 최고 성능의 'GDDR7'도 개발했다. SK하이닉스는 연구개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해 주는 신규 패키징 기술을 도입했다. 전력 효율이 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다.

모바일용 낸드 부문에서도 성과를 냈다. 온디바이스 AI용 모바일 낸드 솔루션 제품 'ZUFS 4.0'가 대표적이다. 낸드에서도 AI 메모리 시장을 선도할 무기로 평가된다. 양산 제품은 향후 글로벌 기업들이 내놓을 온디바이스 AI 스마트폰들에 탑재될 예정이다.

SK하이닉스는 지난 3월 CMOS 이미지센서(CIS) 사업 부문을 AI 메모리 분야로 통합하는 사업 재편을 실시하면서 연구개발도 HBM을 비롯한 AI 메모리 경쟁력 강화에 집중할 방침이다. '풀 스택 AI 메모리 프로바이더'(전방위 AI 메모리 공급자)로서의 입지를 키운다는 계획이다.

업계 관계자는 "SK하이닉스는 올해도 HBM, 기업용 SSD 등 AI 서버용으로 많이 사용하는 제품 개발에 집중하고 있다"고 말했다.

[소비자가만드는신문=정은영 기자]


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