이번 전시에서 DB하이텍은 업계 최고 수준의 기술력을 확보하고 있는 BCDMOS(복합전압소자)를 포함해 특화 이미지센서 공정·차세대 전력반도체로 주목받고 있는 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 공정 등의 최신 개발 현황을 공유할 계획이다.
특히 최근 DB하이텍이 미래 성장 동력으로 역량을 집중하고 있는 SiC와 GaN 전력반도체 공정이 이번 전시의 주축이 될 예정이다.
DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼의 기본 특성을 확보했다. 올해 수율 및 신뢰성 향상을 거쳐 올해 말부터 고객에게 공정을 제공할 계획이다.
GaN 8인치 공정은 650V HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 특성을 확보했으며 올해 안으로 신뢰성 확보를 마칠 계획이다.
또한 DB하이텍은 오는 10월 GaN 전용 MPW를 운영하여 고객들의 제품 평가를 적극 지원할 예정이라고도 발표했다.
반도체‧전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면 글로벌 SiC, GaN 전력반도체 시장 규모는 지난 2024년 $3.6B에서 2027년 $7.6B까지 확대될 것으로 기대된다. 또한 연평균 27.6%의 높은 성장률이 예상되고 있다.
DB하이텍은 이번 전시에서 성장하는 유럽 시장에서 신규 고객을 발굴하고, 기존 고객과의 미래 사업 협력을 통해 유럽 파운드리 서비스를 강화한다는 설명이다.
[소비자가만드는신문=선다혜 기자]
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