고대역폭메모리(HBM)와 서버향 더블데이터레이트(DDR5)등 고부가가치 제품 중심으로 투자를 집중해 수익성 위주의 포트폴리오를 구축하겠단 전략이다.
삼성전자는 반도체 경쟁력 회복 시점을 내년으로 점치고 있다. 이를 위해 HBM의 6세대 모델인 HBM4를 내년 하반기까지 양산하고 2나노 파운드리도 수율 문제를 극복하여 내년 중 양산할 계획이다.
31일 삼성전자에 따르면 올해 이뤄지는 시설 투자액은 56조7000억 원이다. 전년 대비 6.8% 증가한 규모다. 투자액의 84.5%인 47조9000억 원이 DS부문 투자다.
올해 3분기까지 DS부문 누적 투자액이 30조3000억 원임을 고려하면 4분기에만 17조6000원 가량을 반도체 경쟁력 강화에 쓰는 셈이다.
삼성전자 관계자는 “메모리는 탄력적 설비 투자 기조를 유지하면서 HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 예정”이라고 설명했다.
삼성전자는 올해 3분기 연결 기준 매출 79조987억 원, 영업이익 9조1834억 원의 실적을 발표했다. 매출은 전년 동기 대비 17.4% 증가했지만 영업이익은 증권가 컨센서스(10조 원대)를 밑돌았다.
수익성에 영향을 미친 건 DS 부문이다.
삼성전자의 핵심 사업인 메모리 부문 매출은 22조2700억 원으로 전년 동기 대비 112% 증가했다. 레거시 제품의 부진 재고 판매에 집중했고 AI와 서버용 수요에 대응해 HBM과 DDR5, 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 고부가가치 제품 판매가 늘어난 덕이다. 세부적으론 HBM은 전 분기 대비 70% 이상, DDR5는 10% 중반, 서버용 SSD는 30% 중반을 기록했다.
그러나 재고평가손 환입 규모 축소와 인센티브 충당 등 일회성 비용, 달러 약세에 따른 환영향 등으로 이익은 감소했다. DS 부문의 3분기 매출은 29조2700억 원, 영업이익은 3조8600억 원이다.
삼성전자는 오는 4분기에도 3분기와 유사한 지정학적 이슈, 경기 부양 정책 등 수요 영향 요인을 지켜봐야 한다는 입장이다. 다만 업체는 HBM, 서버SSD 등 고부가 제품의 수요에 적극 대응함으로써 수익성 중심의 포트폴리오 구축을 목표로 선단공정 전환을 가속화하고 연내 재고 건전화로 사업 체질 강화에 집중한다는 계획이다.
D램의 경우 HBM3E 판매를 가속화하고 HBM4를 내년 하반기 개발 및 양산에 나선다. 또 성숙 공정(레거시) 라인에서의 1b(10나노 5세대) 전환에 힘쓴다. 시장 내 경쟁이 심화되고 있는 구 공정 기반 DDR4·LPDDR4 비중을 줄이고, 서버향 128GB DDR5 모듈·모바일 및 PC·서버향 LPDDR5X 등 고부가·고용량 제품의 비중을 확대한다는 계획이다.
낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 입지를 강화할 계획이다.
시스템LSI는 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고 디스플레이 드라이버 IC(DDI)는 IT용 OLED 확대 지원에 주력할 방침이다. 파운드리는 4분기 중 2나노 게이트올어라운드(GAA) 공정의 양산성 제고 등을 통해 고객 확보에 주력할 계획이다.
파운드리 관련해선 삼성전자는 이날 열린 3분기 실적 콘퍼런스 콜에서 "파운드리 시장은 선단노드를 중심으로 두자릿수 성장이 기대된다"면서 "4나노 공정에서는 모바일 및 HPC 수요 확대를 위한 공정과 설계 인프라를 개발하고 있다. 메모리사와 협력해 선단 공정 및 어드밴스드 패키징 기술로 AI향 솔루션을 개발할 것"이라고 말했다.
[소비자가만드는신문=송혜림 기자]
